IRG7PH35UD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG7PH35UD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRG7PH35UD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG7PH35UD даташит

 ..1. Size:461K  international rectifier
 irg7ph35ud.pdf pdf_icon

IRG7PH35UD

PD-96288 IRG7PH35UDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRG7PH35UD-EP ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) trench IGBT technology VCES = 1200V Low switching losses Square RBSOA I NOMINAL = 20A 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficient G TJ(max) = 150 C Ultra fast soft recovery co-pak diode T

 0.1. Size:300K  international rectifier
 irg7ph35ud1m.pdf pdf_icon

IRG7PH35UD

IRG7PH35UD1MPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS Features C Low VCE (ON) trench IGBT Technology VCES = 1200V Low Switching Losses Square RBSOA IC = 25A, TC = 100 C Ultra-Low VF Diode 1300Vpk Repetitive Transient Capacity G TJ(max) = 150 C 100% of the Parts Tested for ILM

 0.2. Size:462K  international rectifier
 irg7ph35udpbf irg7ph35ud-ep.pdf pdf_icon

IRG7PH35UD

PD-96288 IRG7PH35UDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRG7PH35UD-EP ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) trench IGBT technology VCES = 1200V Low switching losses Square RBSOA I NOMINAL = 20A 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficient G TJ(max) = 150 C Ultra fast soft recovery co-pak diode T

 0.3. Size:326K  international rectifier
 irg7ph35ud1.pdf pdf_icon

IRG7PH35UD

IRG7PH35UD1PbF IRG7PH35UD1-EP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS Features C VCES = 1200V Low VCE (ON) trench IGBT Technology Low Switching Losses I NOMINAL = 20A Square RBSOA Ultra-Low VF Diode G TJ(max) = 150 C 1300Vpk Repetitive Transient Capacity 100% of the Parts Tested for I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG7IA19U, IRG7IC28U, IRG7P313U, IRG7PA19U, IRG7PC28U, IRG7PH30K10, IRG7PH30K10D, IRG7PH35U, IRGP4063D, IRG7PH35UD1, IRG7PH42U, IRG7PH42UD, IRG7PH42UD1, IRG7PH46U, IRG7PH46UD, IRG7PH50U, IRG7PH50U-EP