IRG7PH35UD
- IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG7PH35UD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ -
Максимальная рассеиваемая мощность: 180
W
|Vce|ⓘ -
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200
V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30
V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора:
50
A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое:
1.9
V @25℃
|VGEth|ⓘ -
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6
V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода:
150
℃
trⓘ -
Время нарастания типовое: 15
nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120
pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 85
nC
Тип корпуса:
TO247
Аналог (замена) для IRG7PH35UD
IRG7PH35UD
Datasheet (PDF)
..1. Size:461K international rectifier
irg7ph35ud.pdf 
PD-96288IRG7PH35UDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRG7PH35UD-EPULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAI NOMINAL = 20A 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficientGTJ(max) = 150C Ultra fast soft recovery co-pak diode T
0.1. Size:300K international rectifier
irg7ph35ud1m.pdf 
IRG7PH35UD1MPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT TechnologyVCES = 1200V Low Switching Losses Square RBSOAIC = 25A, TC = 100C Ultra-Low VF Diode 1300Vpk Repetitive Transient CapacityGTJ(max) = 150C 100% of the Parts Tested for ILM
0.2. Size:326K international rectifier
irg7ph35ud1.pdf 
IRG7PH35UD1PbFIRG7PH35UD1-EPINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSFeaturesCVCES = 1200V Low VCE (ON) trench IGBT Technology Low Switching LossesI NOMINAL = 20A Square RBSOA Ultra-Low VF DiodeGTJ(max) = 150C 1300Vpk Repetitive Transient Capacity 100% of the Parts Tested for I
0.3. Size:326K international rectifier
irg7ph35ud1-ep.pdf 
IRG7PH35UD1PbFIRG7PH35UD1-EPINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSFeaturesCVCES = 1200V Low VCE (ON) trench IGBT Technology Low Switching LossesI NOMINAL = 20A Square RBSOA Ultra-Low VF DiodeGTJ(max) = 150C 1300Vpk Repetitive Transient Capacity 100% of the Parts Tested for I
0.4. Size:462K infineon
irg7ph35udpbf irg7ph35ud-ep.pdf 
PD-96288IRG7PH35UDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRG7PH35UD-EPULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAI NOMINAL = 20A 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficientGTJ(max) = 150C Ultra fast soft recovery co-pak diode T
Другие IGBT... IRG7IA19U
, IRG7IC28U
, IRG7P313U
, IRG7PA19U
, IRG7PC28U
, IRG7PH30K10
, IRG7PH30K10D
, IRG7PH35U
, IRG7R313U
, IRG7PH35UD1
, IRG7PH42U
, IRG7PH42UD
, IRG7PH42UD1
, IRG7PH46U
, IRG7PH46UD
, IRG7PH50U
, IRG7PH50U-EP
.
