IRG7S319U - аналоги и описание IGBT

 

IRG7S319U - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRG7S319U

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.26 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56 pF

Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для IRG7S319U

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG7S319U даташит

 ..1. Size:244K  international rectifier
 irg7s319u.pdf pdf_icon

IRG7S319U

PD - 97155 IRG7S319UPbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 20A 1.26 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 170 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l Lead

 7.1. Size:244K  international rectifier
 irg7s313u.pdf pdf_icon

IRG7S319U

PD - 97402A IRG7S313UPbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 20A 1.35 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 160 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l Lead

 9.1. Size:252K  international rectifier
 irg7sc12f.pdf pdf_icon

IRG7S319U

PD - 96363 IRG7SC12FPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C Features VCES = 600V Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Maximum Junction temperature 150 C IC = 8A, TC = 100 C 3 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 3 s, TJ(max) = 150 C Positive VCE (ON) Temperature co-efficient E Tight parameter distribution VCE(on) typ. = 1.60V Lead Free Pac

 9.2. Size:213K  international rectifier
 irg7sc28u.pdf pdf_icon

IRG7S319U

PD - 97569A PDP TRENCH IGBT IRG7SC28UPbF Key Parameters Features VCE min 600 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 40A 1.70 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 225 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG7PH46U , IRG7PH46UD , IRG7PH50U , IRG7PH50U-EP , IRG7PSH50UD , IRG7PSH73K10 , IRG7R313U , IRG7S313U , FGPF4633 , IRG7SC12F , IRG7SC28U , IRGB10B60KD , IRGB14C40L , IRGB15B60KD , IRGB20B60PD1 , IRGB30B60K , IRGB4045D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.