Справочник IGBT. IRGB15B60KD

 

IRGB15B60KD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IRGB15B60KD

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 139

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 31

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRGB15B60KD

 

 

IRGB15B60KD Datasheet (PDF)

0.1. irgb15b60kd.pdf Size:332K _international_rectifier

IRGB15B60KD
IRGB15B60KD

PD - 95194IRGB15B60KDPbFIRGS15B60KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGSL15B60KDULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF.IC = 15A, TC=100C 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA.Gtsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive V

9.1. irgb14c40l.pdf Size:160K _international_rectifier

IRGB15B60KD
IRGB15B60KD

IRGS14C40LIRGSL14C40LIgnition IGBTIRGB14C40LIGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clampsTERMINAL DIAGRAMCollector CES = C C CE(on) R1 GateR2 L(min)

9.2. irgb10b60kd.pdf Size:111K _international_rectifier

IRGB15B60KD
IRGB15B60KD

PD - 94925IRGB10B60KDPbFIRGS10B60KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGSL10B60KDULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF.IC = 12A, TC=100C 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA.G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.tsc > 10s, TJ=150C Positive V

Другие IGBT... IRG7PSH73K10 , IRG7R313U , IRG7S313U , IRG7S319U , IRG7SC12F , IRG7SC28U , IRGB10B60KD , IRGB14C40L , IRG4PF50W , IRGB20B60PD1 , IRGB30B60K , IRGB4045D , IRGB4056D , IRGB4059D , IRGB4060D , IRGB4061D , IRGB4062D .

 

 
Back to Top