GT50M101 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: GT50M101
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для GT50M101
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
GT50M101 даташит
Другие IGBT... GT40T301 , GT50G101 , GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , GT50L101 , SGT40N60FD2PN , GT50Q101 , GT50S101 , GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB .
History: SL15T65FF | IXGH28N30A
History: SL15T65FF | IXGH28N30A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60