GT50M101 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: GT50M101
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для GT50M101

 

 

GT50M101 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... GT40T301 , GT50G101 , GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , GT50L101 , IHW20N135R5 , GT50Q101 , GT50S101 , GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB .