Справочник IGBT. IRGB6B60K

 

IRGB6B60K - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGB6B60K
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 13 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRGB6B60K

 

 

IRGB6B60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  international rectifier
 irgb6b60k.pdf

IRGB6B60K IRGB6B60K

PD - 94575AIRGB6B60KIRGS6B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRGSL6B60KCVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. 10s Short Circuit Capability.IC = 7.0A, TC=100C Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient.Gtsc > 10s, TJ=150CEVCE(on) typ. = 1.8Vn-channelBenefits Benchmark Efficiency for Motor Con

 0.1. Size:311K  international rectifier
 irgb6b60kd.pdf

IRGB6B60K IRGB6B60K

PD - 94381EIRGB6B60KDIRGS6B60KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGSL6B60KDULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF.IC = 7.0A, TC=100C 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA.G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (

Другие IGBT... IRGB4060D , IRGB4061D , IRGB4062D , IRGB4064D , IRGB4086 , IRGB4B60K , IRGB4B60KD1 , IRGB5B120KD , NCE80TD65BT , IRGB6B60KD , IRGB8B60K , IRGI4086 , IRGI4090 , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD .

 

 
Back to Top