IRGP30B60KD-E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGP30B60KD-E  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 304 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGP30B60KD-E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP30B60KD-E даташит

 ..1. Size:270K  international rectifier
 irgp30b60kd-e.pdf pdf_icon

IRGP30B60KD-E

PD - 94388B IRGP30B60KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C VCES = 600V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. 10 s Short Circuit Capability. IC = 30A, TC=100 C Square RBSOA. Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. G tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 7.1. Size:312K  international rectifier
 irgp30b120kd-e.pdf pdf_icon

IRGP30B60KD-E

PD- 93818A IRGP30B120KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Motor Control Co-Pack IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 1200V Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25 C) VCE(on) typ. = 2.28V 10 s Short Circuit Capability G Square RBSOA VGE = 15V, IC = 25A, 25 C Ultrasoft Diode Recovery Ch

 9.1. Size:290K  international rectifier
 auirgp35b60pd.pdf pdf_icon

IRGP30B60KD-E

PD - 97675 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP35B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH C VCES = 600V ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCE(on) typ. = 1.85V Features @ VGE = 15V IC = 22A NPT Technology, Positive Temperature Coefficient Lower VCE(SAT) Equivalent MOSFET Lower Parasitic Capacitances G Minimal Tail Current Parameters HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode RCE(on)

 9.2. Size:384K  international rectifier
 irgp35b60pdpbf.pdf pdf_icon

IRGP30B60KD-E

SMPS IGBT PD - 95329 IRGP35B60PDPbF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.85V Applications @ VGE = 15V IC = 22A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET G Consumer Electronics Power Supplies Parameters Lead-Free RCE(on) typ. = 84m E Features ID (FET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGIB10B60KD1, IRGIB15B60KD1, IRGIB6B60KD, IRGIB7B60KD, IRGP20B120UD-E, IRGP20B120U-E, IRGP20B60PD, IRGP30B120KD-E, SGT40N60FD2PT, IRGP35B60PD, IRGP35B60PD-EP, IRGP4050, IRGP4062D, IRGP4063, IRGP4063D, IRGP4066, IRGP4066D