IRGP30B60KD-E - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

IRGP30B60KD-E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IRGP30B60KD-E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 304 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRGP30B60KD-E

 

IRGP30B60KD-E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  international rectifier
irgp30b60kd-e.pdfpdf_icon

IRGP30B60KD-E

PD - 94388B IRGP30B60KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C VCES = 600V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. 10 s Short Circuit Capability. IC = 30A, TC=100 C Square RBSOA. Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. G tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 7.1. Size:312K  international rectifier
irgp30b120kd-e.pdfpdf_icon

IRGP30B60KD-E

PD- 93818A IRGP30B120KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Motor Control Co-Pack IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 1200V Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25 C) VCE(on) typ. = 2.28V 10 s Short Circuit Capability G Square RBSOA VGE = 15V, IC = 25A, 25 C Ultrasoft Diode Recovery Ch

 9.1. Size:290K  international rectifier
auirgp35b60pd.pdfpdf_icon

IRGP30B60KD-E

PD - 97675 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP35B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH C VCES = 600V ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCE(on) typ. = 1.85V Features @ VGE = 15V IC = 22A NPT Technology, Positive Temperature Coefficient Lower VCE(SAT) Equivalent MOSFET Lower Parasitic Capacitances G Minimal Tail Current Parameters HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode RCE(on)

 9.2. Size:384K  international rectifier
irgp35b60pdpbf.pdfpdf_icon

IRGP30B60KD-E

SMPS IGBT PD - 95329 IRGP35B60PDPbF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.85V Applications @ VGE = 15V IC = 22A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET G Consumer Electronics Power Supplies Parameters Lead-Free RCE(on) typ. = 84m E Features ID (FET

Другие IGBT... IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E , IRGP20B120U-E , IRGP20B60PD , IRGP30B120KD-E , SGT40N60FD2PT , IRGP35B60PD , IRGP35B60PD-EP , IRGP4050 , IRGP4062D , IRGP4063 , IRGP4063D , IRGP4066 , IRGP4066D .

 

 
Back to Top

 


 
.