IRGP30B60KD-E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование: IRGP30B60KD-E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 304 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IRGP30B60KD-E
IRGP30B60KD-E Datasheet (PDF)
irgp30b60kd-e.pdf
PD - 94388B IRGP30B60KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C VCES = 600V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. 10 s Short Circuit Capability. IC = 30A, TC=100 C Square RBSOA. Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. G tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (on) Temperature Coeffici
irgp30b120kd-e.pdf
PD- 93818A IRGP30B120KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Motor Control Co-Pack IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 1200V Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25 C) VCE(on) typ. = 2.28V 10 s Short Circuit Capability G Square RBSOA VGE = 15V, IC = 25A, 25 C Ultrasoft Diode Recovery Ch
auirgp35b60pd.pdf
PD - 97675 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP35B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH C VCES = 600V ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCE(on) typ. = 1.85V Features @ VGE = 15V IC = 22A NPT Technology, Positive Temperature Coefficient Lower VCE(SAT) Equivalent MOSFET Lower Parasitic Capacitances G Minimal Tail Current Parameters HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode RCE(on)
irgp35b60pdpbf.pdf
SMPS IGBT PD - 95329 IRGP35B60PDPbF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.85V Applications @ VGE = 15V IC = 22A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET G Consumer Electronics Power Supplies Parameters Lead-Free RCE(on) typ. = 84m E Features ID (FET
Другие IGBT... IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E , IRGP20B120U-E , IRGP20B60PD , IRGP30B120KD-E , SGT40N60FD2PT , IRGP35B60PD , IRGP35B60PD-EP , IRGP4050 , IRGP4062D , IRGP4063 , IRGP4063D , IRGP4066 , IRGP4066D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet








