IRGP4062D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGP4062D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 129 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGP4062D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4062D даташит

 ..1. Size:434K  international rectifier
 irgp4062d.pdf pdf_icon

IRGP4062D

IRGB4062DPbF IRGP4062DPbF IRGP4062D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 600V Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low switching losses IC = 24A, TC = 100 C Maximum Junction temperature 175 C 5 S short circuit SOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM E

 0.1. Size:415K  international rectifier
 irgp4062dpbf irgb4062dpbf irgp4062d-epbf.pdf pdf_icon

IRGP4062D

IRGB4062DPbF IRGP4062DPbF IRGP4062D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 600V Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low switching losses IC = 24A, TC = 100 C Maximum Junction temperature 175 C 5 S short circuit SOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM E

 0.2. Size:314K  international rectifier
 auirgp4062d.pdf pdf_icon

IRGP4062D

PD - 96353A AUIRGP4062D AUIRGP4062D-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V Features IC = 24A, TC = 100 C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching Losses G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 5 s SCSOA Square RBSOA E VCE(on) typ. = 1.60V 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Co

 0.3. Size:434K  international rectifier
 irgp4062d-e.pdf pdf_icon

IRGP4062D

IRGB4062DPbF IRGP4062DPbF IRGP4062D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features VCES = 600V Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low switching losses IC = 24A, TC = 100 C Maximum Junction temperature 175 C 5 S short circuit SOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGP20B120UD-E, IRGP20B120U-E, IRGP20B60PD, IRGP30B120KD-E, IRGP30B60KD-E, IRGP35B60PD, IRGP35B60PD-EP, IRGP4050, RJH60F7BDPQ-A0, IRGP4063, IRGP4063D, IRGP4066, IRGP4066D, IRGP4066D-E, IRGP4066-E, IRGP4068D, IRGP4068D-E