IRGP4069D - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги IRGP4069D. Основные параметры


   Наименование: IRGP4069D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 76 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 197 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IRGP4069D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4069D даташит

 ..1. Size:309K  international rectifier
 irgp4069d.pdf pdf_icon

IRGP4069D

PD - 97425 IRGP4069DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4069D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 0.1. Size:295K  international rectifier
 irgp4069dpbf.pdf pdf_icon

IRGP4069D

PD - 97425 IRGP4069DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4069D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 0.2. Size:309K  international rectifier
 irgp4069d-e.pdf pdf_icon

IRGP4069D

PD - 97425 IRGP4069DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4069D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 6.1. Size:268K  international rectifier
 irgp4069.pdf pdf_icon

IRGP4069D

PD - 97426 IRGP4069PbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRGP4069-EPbF Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM E Positive VCE (ON) Temperature Coefficient

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGP4063D , IRGP4066 , IRGP4066D , IRGP4066D-E , IRGP4066-E , IRGP4068D , IRGP4068D-E , IRGP4069 , TGAN40N60FD , IRGP4072D , IRGP4086 , IRGP50B60PD , IRGP50B60PD1 , IRGP50B60PD1-EP , IRGPS40B120U , IRGPS40B120UD , IRGPS60B120KD .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.