Справочник IGBT. RJH1CD5DPQ-E0

 

RJH1CD5DPQ-E0 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH1CD5DPQ-E0
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RJH1CD5DPQ-E0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  renesas
 rjh1cd5dpq-e0.pdf pdf_icon

RJH1CD5DPQ-E0

Preliminary Datasheet RJH1CD5DPQ-E0 R07DS0517EJ05001200V - 20A - IGBT Rev.5.00Application: Inverter Jun 12, 2012Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.0 V typ. (at IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built-in fast recovery diode (trr = 180 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 3.1. Size:53K  1
 rjh1cd5dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH1CD5DPQ-E0

Preliminary DatasheetRJH1CD5DPQ-A0 R07DS0451EJ01001200 V - 15 A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Jul 22, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 15 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 4.1. Size:53K  renesas
 r07ds0517ej rjh1cd5dpq.pdf pdf_icon

RJH1CD5DPQ-E0

Preliminary DatasheetRJH1CD5DPQ-E0 R07DS0517EJ03001200 V - 20 A - IGBT Rev.3.00Application: Inverter Nov 21, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.0 V typ. (at IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 4.2. Size:53K  renesas
 r07ds0451ej rjh1cd5dpq.pdf pdf_icon

RJH1CD5DPQ-E0

Preliminary DatasheetRJH1CD5DPQ-A0 R07DS0451EJ01001200 V - 15 A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Jul 22, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 15 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGSL10B60KD , IRGSL14C40L , IRGSL15B60KD , IRGSL30B60K , IRGSL4062D , IRGSL4B60KD1 , IRGSL6B60KD , RJH1CD5DPQ-A0 , RJP63F3DPP-M0 , RJH1CD6DPQ-A0 , RJH1CD6DPQ-E0 , RJH1CD7DPQ-A0 , RJH1CD7DPQ-E0 , RJH1CM5DPQ-E0 , RJH1CM6DPQ-E0 , RJH1CM7DPQ-E0 , RJH1CV5DPQ-E0 .

History: GT30J311 | IRG4BC10SD-L | STGP30M65DF2 | IXGR50N60BD1 | MSG50T120FHW | BLG60T65FDK-K | IRGS4640D

 

 
Back to Top

 


 
.