RJH1CD6DPQ-A0 - аналоги и описание IGBT

 

RJH1CD6DPQ-A0 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RJH1CD6DPQ-A0

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 297.6 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO247A

 Аналог (замена) для RJH1CD6DPQ-A0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH1CD6DPQ-A0 даташит

 ..1. Size:53K  1
 rjh1cd6dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH1CD6DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH1CD6DPQ-A0 R07DS0452EJ0100 1200 V - 20 A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter Jul 22, 2011 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 3.1. Size:98K  renesas
 rjh1cd6dpq-e0.pdf pdf_icon

RJH1CD6DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH1CD6DPQ-E0 R07DS0518EJ0500 1200V - 25A - IGBT Rev.5.00 Application Inverter Jun 12, 2012 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.0 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built-in fast recovery diode (trr = 170 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 4.1. Size:53K  renesas
 r07ds0452ej rjh1cd6dpq.pdf pdf_icon

RJH1CD6DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH1CD6DPQ-A0 R07DS0452EJ0100 1200 V - 20 A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter Jul 22, 2011 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 4.2. Size:53K  renesas
 r07ds0518ej rjh1cd6dpq.pdf pdf_icon

RJH1CD6DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH1CD6DPQ-E0 R07DS0518EJ0300 1200 V - 25 A - IGBT Rev.3.00 Application Inverter Nov 21, 2011 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.0 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGSL14C40L , IRGSL15B60KD , IRGSL30B60K , IRGSL4062D , IRGSL4B60KD1 , IRGSL6B60KD , RJH1CD5DPQ-A0 , RJH1CD5DPQ-E0 , FGA60N65SMD , RJH1CD6DPQ-E0 , RJH1CD7DPQ-A0 , RJH1CD7DPQ-E0 , RJH1CM5DPQ-E0 , RJH1CM6DPQ-E0 , RJH1CM7DPQ-E0 , RJH1CV5DPQ-E0 , RJH1CV6DPQ-E0 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.