Справочник IGBT. RJH1CD6DPQ-E0

 

RJH1CD6DPQ-E0 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH1CD6DPQ-E0
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 104 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для RJH1CD6DPQ-E0

 

 

RJH1CD6DPQ-E0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  renesas
 rjh1cd6dpq-e0.pdf

RJH1CD6DPQ-E0 RJH1CD6DPQ-E0

Preliminary Datasheet RJH1CD6DPQ-E0 R07DS0518EJ05001200V - 25A - IGBT Rev.5.00Application: Inverter Jun 12, 2012Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.0 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built-in fast recovery diode (trr = 170 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 3.1. Size:53K  1
 rjh1cd6dpq-a0.pdf

RJH1CD6DPQ-E0 RJH1CD6DPQ-E0

Preliminary DatasheetRJH1CD6DPQ-A0 R07DS0452EJ01001200 V - 20 A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Jul 22, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 4.1. Size:53K  renesas
 r07ds0452ej rjh1cd6dpq.pdf

RJH1CD6DPQ-E0 RJH1CD6DPQ-E0

Preliminary DatasheetRJH1CD6DPQ-A0 R07DS0452EJ01001200 V - 20 A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Jul 22, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 4.2. Size:53K  renesas
 r07ds0518ej rjh1cd6dpq.pdf

RJH1CD6DPQ-E0 RJH1CD6DPQ-E0

Preliminary DatasheetRJH1CD6DPQ-E0 R07DS0518EJ03001200 V - 25 A - IGBT Rev.3.00Application: Inverter Nov 21, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.0 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

Другие IGBT... IRGSL15B60KD , IRGSL30B60K , IRGSL4062D , IRGSL4B60KD1 , IRGSL6B60KD , RJH1CD5DPQ-A0 , RJH1CD5DPQ-E0 , RJH1CD6DPQ-A0 , YGW60N65F1A1 , RJH1CD7DPQ-A0 , RJH1CD7DPQ-E0 , RJH1CM5DPQ-E0 , RJH1CM6DPQ-E0 , RJH1CM7DPQ-E0 , RJH1CV5DPQ-E0 , RJH1CV6DPQ-E0 , RJH1CV7DPQ-E0 .

 

 
Back to Top