RJH6087BDPK - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: RJH6087BDPK
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223.2 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.65 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для RJH6087BDPK
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
RJH6087BDPK даташит
rjh6087bdpk.pdf
Preliminary Datasheet RJH6087BDPK R07DS0389EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching May 11, 2011 Features Ultra high speed switching tf = 55 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0004ZE-A (Package name TO-3P) C 4 1. Gat
r07ds0389ej rjh6087bdp.pdf
Preliminary Datasheet RJH6087BDPK R07DS0389EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching May 11, 2011 Features Ultra high speed switching tf = 55 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0004ZE-A (Package name TO-3P) C 4 1. Gat
r07ds0390ej rjh6088bdp.pdf
Preliminary Datasheet RJH6088BDPK R07DS0390EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching May 11, 2011 Features Ultra high speed switching tf = 60 ns typ. (at IC = 40 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0004ZE-A (Package name TO-3P) C 4 1. Gat
rjh6086bdpk.pdf
Preliminary Datasheet RJH6086BDPK R07DS0470EJ0100 600 V - 45 A - IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching Sep 28, 2011 Features Ultra high speed switching tf = 36 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0004ZE-A (Package name TO-3P) C 4 1. G
Другие IGBT... RJH1CM6DPQ-E0 , RJH1CM7DPQ-E0 , RJH1CV5DPQ-E0 , RJH1CV6DPQ-E0 , RJH1CV7DPQ-E0 , RJH30H1DPP-M0 , RJH30H2DPK-M0 , RJH6086BDPK , GT30G124 , RJH6088BDPK , RJH60D0DPM , RJH60D0DPQ-A0 , RJH60D5DPM , RJH60D5DPQ-A0 , RJH60D6DPM , RJH60D7ADPK , RJH60D7DPM .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404