RJH60F6DPQ-A0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH60F6DPQ-A0  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 297.6 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO247A

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH60F6DPQ-A0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60F6DPQ-A0 даташит

 ..1. Size:87K  renesas
 rjh60f6dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60F6DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F6DPQ-A0 R07DS0327EJ0200 600 V - 45 A - IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (a

 4.1. Size:90K  renesas
 r07ds0327ej rjh60f6dpq.pdf pdf_icon

RJH60F6DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F6DPQ-A0 R07DS0327EJ0200 600 V - 45 A - IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (a

 5.1. Size:86K  renesas
 r07ds0236ej rjh60f6dpk.pdf pdf_icon

RJH60F6DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F6DPK R07DS0236EJ0200 (Previous REJ03G1940-0100) Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Nov 30, 2010 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed s

 5.2. Size:83K  renesas
 rjh60f6dpk.pdf pdf_icon

RJH60F6DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F6DPK R07DS0236EJ0200 (Previous REJ03G1940-0100) Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Nov 30, 2010 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60D6DPM, RJH60D7ADPK, RJH60D7DPM, RJH60F0DPQ-A0, RJH60F3DPK, RJH60F3DPQ-A0, RJH60F4DPQ-A0, RJH60F5DPQ-A0, IRG4PC50U, RJH60F7DPQ-A0, RJH60M0DPQ-A0, RJH60M1DPE, RJH60M1DPP-M0, RJH60M2DPE, RJH60M2DPP-M0, RJH60M3DPE, RJH60M3DPP-M0