RJH60F7DPQ-A0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH60F7DPQ-A0  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 328.9 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 81 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF

Тип корпуса: TO247A

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH60F7DPQ-A0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60F7DPQ-A0 даташит

 ..1. Size:86K  renesas
 rjh60f7dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60F7DPQ-A0

Preliminary Datasheet B0 RJH60F7DPQ-A0 R07DS0328EJ0200 600 V - 50 A - IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 B1 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns

 4.1. Size:89K  renesas
 r07ds0328ej rjh60f7dpq.pdf pdf_icon

RJH60F7DPQ-A0

Preliminary Datasheet B0 RJH60F7DPQ-A0 R07DS0328EJ0200 600 V - 50 A - IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 B1 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns

 7.1. Size:82K  renesas
 rjh60f7adpk.pdf pdf_icon

RJH60F7DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F7ADPK R07DS0237EJ0300 (Previous REJ03G1837-0200) Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 High Speed Power Switching Jan 05, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed

 7.2. Size:85K  renesas
 r07ds0237ej rjh60f7adp.pdf pdf_icon

RJH60F7DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60F7ADPK R07DS0237EJ0300 (Previous REJ03G1837-0200) Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 High Speed Power Switching Jan 05, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60D7ADPK, RJH60D7DPM, RJH60F0DPQ-A0, RJH60F3DPK, RJH60F3DPQ-A0, RJH60F4DPQ-A0, RJH60F5DPQ-A0, RJH60F6DPQ-A0, FGH60N60SFD, RJH60M0DPQ-A0, RJH60M1DPE, RJH60M1DPP-M0, RJH60M2DPE, RJH60M2DPP-M0, RJH60M3DPE, RJH60M3DPP-M0, RJH60M3DPQ-A0