RJH60M1DPP-M0
- IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: RJH60M1DPP-M0
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ -
Максимальная рассеиваемая мощность: 30
W
|Vce|ⓘ -
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600
V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30
V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора:
16
A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое:
1.9
V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода:
150
℃
trⓘ -
Время нарастания типовое: 12
nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25
pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 20.5
nC
Тип корпуса:
TO220F
Аналог (замена) для RJH60M1DPP-M0
RJH60M1DPP-M0
Datasheet (PDF)
..1. Size:102K renesas
rjh60m1dpp-m0.pdf 
Preliminary Datasheet RJH60M1DPP-M0 R07DS0528EJ0300600V - 8A - IGBT Rev.3.00Application: Inverter May 25, 2012Features Short circuit withstand time (8 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 8 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (75 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno
4.1. Size:54K renesas
r07ds0528ej rjh60m1dpp.pdf 
Preliminary DatasheetRJH60M1DPP-M0 R07DS0528EJ0100600 V - 8 A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Sep 02, 2011Features Short circuit withstand time (8 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 8 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techn
5.1. Size:53K renesas
r07ds0529ej rjh60m1dpe.pdf 
Preliminary DatasheetRJH60M1DPE R07DS0529EJ0100600 V - 8 A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Sep 02, 2011Features Short circuit withstand time (8 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 8 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer technolo
5.2. Size:97K renesas
rjh60m1dpe.pdf 
Preliminary Datasheet RJH60M1DPE R07DS0529EJ0300600V - 8A - IGBT Rev.3.00Application: Inverter May 25, 2012Features Short circuit withstand time (8 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 8 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer technolo
Другие IGBT... RJH60F3DPK
, RJH60F3DPQ-A0
, RJH60F4DPQ-A0
, RJH60F5DPQ-A0
, RJH60F6DPQ-A0
, RJH60F7DPQ-A0
, RJH60M0DPQ-A0
, RJH60M1DPE
, RJH60F5DPQ-A0
, RJH60M2DPE
, RJH60M2DPP-M0
, RJH60M3DPE
, RJH60M3DPP-M0
, RJH60M3DPQ-A0
, RJH60M5DPQ-A0
, RJH60M6DPQ-A0
, RJH60M7DPQ-A0
.
