Справочник IGBT. RJP60D0DPP-M0

 

RJP60D0DPP-M0 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJP60D0DPP-M0
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 45 nC
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для RJP60D0DPP-M0

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJP60D0DPP-M0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  renesas
 rjp60d0dpp-m0.pdf pdf_icon

RJP60D0DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP60D0DPP-M0 R07DS0173EJ0100Silicon N Channel IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching Mar 11, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Ou

 4.1. Size:79K  renesas
 r07ds0173ej rjp60d0dpp.pdf pdf_icon

RJP60D0DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP60D0DPP-M0 R07DS0173EJ0100Silicon N Channel IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching Mar 11, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Ou

 5.1. Size:75K  renesas
 r07ds0088ej rjp60d0dpm.pdf pdf_icon

RJP60D0DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP60D0DPM R07DS0088EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Nov 16, 2010Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15V, Ta = 25C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Outlin

 5.2. Size:78K  renesas
 r07ds0166ej rjp60d0dpk.pdf pdf_icon

RJP60D0DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP60D0DPK R07DS0166EJ0300Silicon N Channel IGBT Rev.3.00High Speed Power Switching Jul 13, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Outli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJP30E2DPP-M0 , RJP30E3DPP-M0 , RJP30H1DPD , RJP30H1DPP-M0 , RJP30H2DPK-M0 , RJP30K3DPP-M0 , RJP6065DPM , RJP60D0DPE , IRG4PC50UD , RJP60F0DPE , RJP60F0DPM , RJP60F4DPM , RJP60F5DPM , RJP63F3DPP-M0 , RJP63K2DPK-M0 , RJP63K2DPP-M0 , RJP6085DPN-00 .

 

 
Back to Top

 


 
.