RJP60F4DPM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJP60F4DPM  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.2 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF

Тип корпуса: TO3PFMSC93

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJP60F4DPM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJP60F4DPM даташит

 ..1. Size:76K  renesas
 rjp60f4dpm.pdf pdf_icon

RJP60F4DPM

Preliminary Datasheet RJP60F4DPM R07DS0586EJ0100 600 V - 30 A - IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching Nov 25, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25 C) Trench gate and thin wafer technology High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003ZA-A (Package name TO-3PFM) C

 ..2. Size:79K  renesas
 r07ds0586ej rjp60f4dpm.pdf pdf_icon

RJP60F4DPM

Preliminary Datasheet RJP60F4DPM R07DS0586EJ0100 600 V - 30 A - IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching Nov 25, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25 C) Trench gate and thin wafer technology High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003ZA-A (Package name TO-3PFM) C

 8.1. Size:79K  renesas
 rjp60f0dpe.pdf pdf_icon

RJP60F4DPM

Preliminary Datasheet RJP60F0DPE R07DS0540EJ0100 600 V - 25 A - IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching Sep 09, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15V, Ta = 25 C) Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta =

 8.2. Size:80K  renesas
 r07ds0585ej rjp60f0dpm.pdf pdf_icon

RJP60F4DPM

Preliminary Datasheet RJP60F0DPM R07DS0585EJ0100 600 V - 25 A - IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching Nov 25, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Trench gate and thin wafer technology High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003ZA-A (Package name TO-3PFM) C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJP30H1DPP-M0, RJP30H2DPK-M0, RJP30K3DPP-M0, RJP6065DPM, RJP60D0DPE, RJP60D0DPP-M0, RJP60F0DPE, RJP60F0DPM, MBQ40T65FDSC, RJP60F5DPM, RJP63F3DPP-M0, RJP63K2DPK-M0, RJP63K2DPP-M0, RJP6085DPN-00, RJP6085DPK, RJH60F0DPK, RJH60F4DPK