RJP63K2DPK-M0 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: RJP63K2DPK-M0
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 630 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 26 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 20 nC
Тип корпуса: TO3PSG
Аналог (замена) для RJP63K2DPK-M0
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
RJP63K2DPK-M0 даташит
rjp63k2dpk-m0.pdf
Preliminary Datasheet RJP63K2DPK-M0 R07DS0469EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ High speed switching tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ. Low leak current ICES = 1 A max Outline RENES
r07ds0469ej rjp63k2dpk.pdf
Preliminary Datasheet RJP63K2DPK-M0 R07DS0469EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ High speed switching tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ. Low leak current ICES = 1 A max Outline RENES
r07ds0468ej rjp63k2dpp.pdf
Preliminary Datasheet RJP63K2DPP-M0 R07DS0468EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ High speed switching tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ. Low leak current ICES = 1 A max Isolated pa
rjp63k2dpp-m0.pdf
Preliminary Datasheet RJP63K2DPP-M0 R07DS0468EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ High speed switching tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ. Low leak current ICES = 1 A max Isolated pa
Другие IGBT... RJP6065DPM , RJP60D0DPE , RJP60D0DPP-M0 , RJP60F0DPE , RJP60F0DPM , RJP60F4DPM , RJP60F5DPM , RJP63F3DPP-M0 , SGT40N60FD2PT , RJP63K2DPP-M0 , RJP6085DPN-00 , RJP6085DPK , RJH60F0DPK , RJH60F4DPK , RJH60F6DPK , RJH60F7ADPK , RJH60F5DPK .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906