RJP63K2DPP-M0 datasheet, аналоги, основные параметры

RJP63K2DPP-M0 - это высокопроизводительный IGBT-транзистор, разработанный для сложных задач коммутации питания. Устройство оптимизировано для использования в резонансных преобразователях, системах индукционного нагрева, высокочастотных источниках питания. Его прочная конструкция обеспечивает отличную лавиноустойчивость и термическую стабильность, обеспечивая надежную работу в условиях высоких нагрузок. Корпус TO220F обеспечивает эффективное рассеивание тепла и компактную интеграцию в современные силовые модули, что делает RJP63K2DPP-M0 подходящим для эффективных систем электропитания с высокой плотностью энергопотребления.

Наименование: RJP63K2DPP-M0  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 630 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 26 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJP63K2DPP-M0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJP63K2DPP-M0 даташит

 ..1. Size:124K  renesas
 rjp63k2dpp-m0.pdf pdf_icon

RJP63K2DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP63K2DPP-M0 R07DS0468EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ High speed switching tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ. Low leak current ICES = 1 A max Isolated pa

 4.1. Size:145K  renesas
 r07ds0468ej rjp63k2dpp.pdf pdf_icon

RJP63K2DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP63K2DPP-M0 R07DS0468EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ High speed switching tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ. Low leak current ICES = 1 A max Isolated pa

 5.1. Size:124K  renesas
 rjp63k2dpk-m0.pdf pdf_icon

RJP63K2DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP63K2DPK-M0 R07DS0469EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ High speed switching tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ. Low leak current ICES = 1 A max Outline RENES

 5.2. Size:155K  renesas
 r07ds0469ej rjp63k2dpk.pdf pdf_icon

RJP63K2DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP63K2DPK-M0 R07DS0469EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ High speed switching tr = 60 ns typ, tf = 200 ns typ. Low leak current ICES = 1 A max Outline RENES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJP60D0DPE, RJP60D0DPP-M0, RJP60F0DPE, RJP60F0DPM, RJP60F4DPM, RJP60F5DPM, RJP63F3DPP-M0, RJP63K2DPK-M0, MGD623S, RJP6085DPN-00, RJP6085DPK, RJH60F0DPK, RJH60F4DPK, RJH60F6DPK, RJH60F7ADPK, RJH60F5DPK, RJH60C9DPD