RJH60F6DPK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH60F6DPK  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 297.6 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH60F6DPK

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60F6DPK даташит

 ..1. Size:86K  renesas
 r07ds0236ej rjh60f6dpk.pdf pdf_icon

RJH60F6DPK

Preliminary Datasheet RJH60F6DPK R07DS0236EJ0200 (Previous REJ03G1940-0100) Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Nov 30, 2010 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed s

 ..2. Size:83K  renesas
 rjh60f6dpk.pdf pdf_icon

RJH60F6DPK

Preliminary Datasheet RJH60F6DPK R07DS0236EJ0200 (Previous REJ03G1940-0100) Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Nov 30, 2010 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed s

 5.1. Size:87K  renesas
 rjh60f6dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60F6DPK

Preliminary Datasheet RJH60F6DPQ-A0 R07DS0327EJ0200 600 V - 45 A - IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (a

 5.2. Size:90K  renesas
 r07ds0327ej rjh60f6dpq.pdf pdf_icon

RJH60F6DPK

Preliminary Datasheet RJH60F6DPQ-A0 R07DS0327EJ0200 600 V - 45 A - IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 45 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJP60F5DPM, RJP63F3DPP-M0, RJP63K2DPK-M0, RJP63K2DPP-M0, RJP6085DPN-00, RJP6085DPK, RJH60F0DPK, RJH60F4DPK, NCE80TD65BT, RJH60F7ADPK, RJH60F5DPK, RJH60C9DPD, RJH60D1DPP-M0, RJH60D1DPE, RJH60D2DPP-M0, RJH60D2DPE, RJH60D3DPP-M0