Справочник IGBT. RJH60F7ADPK

 

RJH60F7ADPK Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH60F7ADPK
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 328.9 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 81 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60F7ADPK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  renesas
 rjh60f7adpk.pdf pdf_icon

RJH60F7ADPK

Preliminary Datasheet RJH60F7ADPK R07DS0237EJ0300(Previous: REJ03G1837-0200)Silicon N Channel IGBT Rev.3.00High Speed Power Switching Jan 05, 2011Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed

 4.1. Size:85K  renesas
 r07ds0237ej rjh60f7adp.pdf pdf_icon

RJH60F7ADPK

Preliminary Datasheet RJH60F7ADPK R07DS0237EJ0300(Previous: REJ03G1837-0200)Silicon N Channel IGBT Rev.3.00High Speed Power Switching Jan 05, 2011Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed

 7.1. Size:89K  renesas
 r07ds0328ej rjh60f7dpq.pdf pdf_icon

RJH60F7ADPK

Preliminary Datasheet B0RJH60F7DPQ-A0 R07DS0328EJ0200600 V - 50 A - IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Jul 22, 2011B1Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns

 7.2. Size:86K  renesas
 rjh60f7dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60F7ADPK

Preliminary Datasheet B0RJH60F7DPQ-A0 R07DS0328EJ0200600 V - 50 A - IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Jul 22, 2011B1Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJP63F3DPP-M0 , RJP63K2DPK-M0 , RJP63K2DPP-M0 , RJP6085DPN-00 , RJP6085DPK , RJH60F0DPK , RJH60F4DPK , RJH60F6DPK , SGT60U65FD1PT , RJH60F5DPK , RJH60C9DPD , RJH60D1DPP-M0 , RJH60D1DPE , RJH60D2DPP-M0 , RJH60D2DPE , RJH60D3DPP-M0 , RJH60D3DPE .

History: IRG4PSH71KD | IRG4ZC70UD | TGAN25N120ND

 

 
Back to Top

 


 
.