RJH60F5DPK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH60F5DPK  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260.4 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.37 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 122 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH60F5DPK

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60F5DPK даташит

 ..1. Size:85K  renesas
 r07ds0055ej rjh60f5dpk.pdf pdf_icon

RJH60F5DPK

Preliminary Datasheet RJH60F5DPK R07DS0055EJ0300 Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 High Speed Power Switching Nov 24, 2010 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tr = 85 ns typ. (at I

 ..2. Size:219K  renesas
 rjh60f5dpk.pdf pdf_icon

RJH60F5DPK

Preliminary www.DataSheet4U.com RJH60F5DPK Silicon N Channel IGBT REJ03G1836-0100 Rev.1.00 High Speed Power Switching Oct 13, 2009 Features High speed switching Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0004ZE-A (Package name TO-3P) C 4 1. Gate 2. Collector G 3. Emitter 4. Collector (Flange) 1 2 3 E Absolute Max

 5.1. Size:88K  renesas
 r07ds0326ej rjh60f5dpq.pdf pdf_icon

RJH60F5DPK

Preliminary Datasheet RJH60F5DPQ-A0 R07DS0326EJ0200 600 V - 40 A - IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tr = 85 ns typ. (at I

 5.2. Size:85K  renesas
 rjh60f5dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60F5DPK

Preliminary Datasheet RJH60F5DPQ-A0 R07DS0326EJ0200 600 V - 40 A - IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 22, 2011 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tr = 85 ns typ. (at I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJP63K2DPK-M0, RJP63K2DPP-M0, RJP6085DPN-00, RJP6085DPK, RJH60F0DPK, RJH60F4DPK, RJH60F6DPK, RJH60F7ADPK, TGPF30N43P, RJH60C9DPD, RJH60D1DPP-M0, RJH60D1DPE, RJH60D2DPP-M0, RJH60D2DPE, RJH60D3DPP-M0, RJH60D3DPE, RJP60D0DPK