RJH60D1DPP-M0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH60D1DPP-M0  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH60D1DPP-M0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60D1DPP-M0 даташит

 ..1. Size:93K  renesas
 rjh60d1dpp-m0.pdf pdf_icon

RJH60D1DPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60D1DPP-M0 R07DS0158EJ0400 600V - 10A - IGBT Rev.4.00 Application Inverter Apr 19, 2012 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (70 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tech

 3.1. Size:120K  renesas
 rjh60d1dpp-e0.pdf pdf_icon

RJH60D1DPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60D1DPP-E0 R07DS0893EJ0100 600V - 10A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter Nov 01, 2012 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (70 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tech

 4.1. Size:82K  renesas
 r07ds0158ej rjh60d1dpp.pdf pdf_icon

RJH60D1DPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60D1DPP-M0 R07DS0158EJ0300 Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 Application Inverter Nov 16, 2010 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafe

 5.1. Size:81K  renesas
 r07ds0157ej rjh60d1dpe.pdf pdf_icon

RJH60D1DPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60D1DPE R07DS0157EJ0300 Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 Application Inverter Nov 16, 2010 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJP6085DPN-00, RJP6085DPK, RJH60F0DPK, RJH60F4DPK, RJH60F6DPK, RJH60F7ADPK, RJH60F5DPK, RJH60C9DPD, GT60N321, RJH60D1DPE, RJH60D2DPP-M0, RJH60D2DPE, RJH60D3DPP-M0, RJH60D3DPE, RJP60D0DPK, RJH60D5DPK, RJH60D6DPK