RJH60D2DPE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH60D2DPE  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF

Тип корпуса: LDPAKSC83

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH60D2DPE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60D2DPE даташит

 ..1. Size:98K  renesas
 rjh60d2dpe.pdf pdf_icon

RJH60D2DPE

Preliminary Datasheet RJH60D2DPE R07DS0159EJ0400 600V - 12A - IGBT Rev.4.00 Application Inverter Apr 19, 2012 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

 ..2. Size:82K  renesas
 r07ds0159ej rjh60d2dpe.pdf pdf_icon

RJH60D2DPE

Preliminary Datasheet RJH60D2DPE R07DS0159EJ0300 Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 Application Inverter Nov 16, 2010 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

 5.1. Size:82K  renesas
 r07ds0160ej rjh60d2dpp.pdf pdf_icon

RJH60D2DPE

Preliminary Datasheet RJH60D2DPP-M0 R07DS0160EJ0300 Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 Application Inverter Nov 16, 2010 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafe

 5.2. Size:121K  renesas
 rjh60d2dpp-e0.pdf pdf_icon

RJH60D2DPE

Preliminary Datasheet RJH60D2DPP-E0 R07DS0894EJ0100 600V - 12A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter Nov 01, 2012 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60F4DPK, RJH60F6DPK, RJH60F7ADPK, RJH60F5DPK, RJH60C9DPD, RJH60D1DPP-M0, RJH60D1DPE, RJH60D2DPP-M0, IHW20N135R3, RJH60D3DPP-M0, RJH60D3DPE, RJP60D0DPK, RJH60D5DPK, RJH60D6DPK, RJH60D7DPK, RJH60D0DPK, RJP60D0DPM