Справочник IGBT. RJH60D7DPK

 

RJH60D7DPK - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH60D7DPK
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 90
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 46
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 160
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 130
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для RJH60D7DPK

 

 

RJH60D7DPK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  renesas
 r07ds0165ej rjh60d7dpk.pdf

RJH60D7DPK RJH60D7DPK

Preliminary Datasheet RJH60D7DPK R07DS0165EJ0300Silicon N Channel IGBT Rev.3.00Application: Inverter Nov 16, 2010Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

 ..2. Size:98K  renesas
 rjh60d7dpk.pdf

RJH60D7DPK RJH60D7DPK

Preliminary Datasheet RJH60D7DPK R07DS0165EJ0400600V - 50A - IGBT Rev.4.00Application: Inverter Apr 19, 2012Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

 5.1. Size:84K  renesas
 r07ds0176ej rjh60d7dpm.pdf

RJH60D7DPK RJH60D7DPK

Preliminary Datasheet RJH60D7DPM R07DS0176EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00Application: Inverter Nov 16, 2010Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

 5.2. Size:104K  renesas
 rjh60d7dpq-e0.pdf

RJH60D7DPK RJH60D7DPK

Preliminary Datasheet RJH60D7DPQ-E0 R07DS0740EJ0100600V - 50A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Apr 19, 2012Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tec

 5.3. Size:110K  renesas
 rjh60d7dpm.pdf

RJH60D7DPK RJH60D7DPK

Preliminary Datasheet RJH60D7DPM R07DS0176EJ0400600V - 50A - IGBT Rev.4.00Application: Inverter Dec 07, 2012Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

Другие IGBT... RJH60D1DPE , RJH60D2DPP-M0 , RJH60D2DPE , RJH60D3DPP-M0 , RJH60D3DPE , RJP60D0DPK , RJH60D5DPK , RJH60D6DPK , IRGB20B60PD1 , RJH60D0DPK , RJP60D0DPM , TIG110BF , TIG110GMH , TIG111BF , TIG111GMH , TIG052TS , TIG056BF .

 

 
Back to Top