Справочник IGBT. RJP60D0DPM

 

RJP60D0DPM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJP60D0DPM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Тип корпуса: TO3PFM SC93
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RJP60D0DPM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  renesas
 r07ds0088ej rjp60d0dpm.pdf pdf_icon

RJP60D0DPM

Preliminary Datasheet RJP60D0DPM R07DS0088EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Nov 16, 2010Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15V, Ta = 25C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Outlin

 ..2. Size:72K  renesas
 rjp60d0dpm.pdf pdf_icon

RJP60D0DPM

Preliminary Datasheet RJP60D0DPM R07DS0088EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Nov 16, 2010Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15V, Ta = 25C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Outlin

 5.1. Size:78K  renesas
 r07ds0166ej rjp60d0dpk.pdf pdf_icon

RJP60D0DPM

Preliminary Datasheet RJP60D0DPK R07DS0166EJ0300Silicon N Channel IGBT Rev.3.00High Speed Power Switching Jul 13, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Outli

 5.2. Size:75K  renesas
 rjp60d0dpk.pdf pdf_icon

RJP60D0DPM

Preliminary Datasheet RJP60D0DPK R07DS0166EJ0300Silicon N Channel IGBT Rev.3.00High Speed Power Switching Jul 13, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Gate to emitter voltage rating 30 V Pb-free lead plating and chip bonding Outli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60D2DPE , RJH60D3DPP-M0 , RJH60D3DPE , RJP60D0DPK , RJH60D5DPK , RJH60D6DPK , RJH60D7DPK , RJH60D0DPK , IKW40N65WR5 , TIG110BF , TIG110GMH , TIG111BF , TIG111GMH , TIG052TS , TIG056BF , TIG058E8 , TIG062E8 .

History: SGM50PA12A6BTFD | AUIRGS4062D1 | IXGP12N100

 

 
Back to Top

 


 
.