TIG110BF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TIG110BF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 27 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC
Тип корпуса: TO220F
- подбор IGBT транзистора по параметрам
TIG110BF Datasheet (PDF)
tig110bf.pdf

TIG110BFOrdering number : EN9013ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Non Punch Through IGBTTIG110BFHigh Power High Speed Switching ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specifiedParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Emitter
tig110gmh.pdf

TIG110GMHOrdering number : EN9018SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Non Punch Through IGBTTIG110GMHHigh Power High Speed Switching ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specifiedParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Emitte
tig111bf.pdf

TIG111BFOrdering number : EN9017ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Non Punch Through IGBTTIG111BFHigh Power High Speed Switching ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specifiedParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Emitter
tig111gmh.pdf

TIG111GMHOrdering number : EN9014SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Non Punch Through IGBTTIG111GMHHigh Power High Speed Switching ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specifiedParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Emitte
Другие IGBT... RJH60D3DPP-M0 , RJH60D3DPE , RJP60D0DPK , RJH60D5DPK , RJH60D6DPK , RJH60D7DPK , RJH60D0DPK , RJP60D0DPM , IRGP4063 , TIG110GMH , TIG111BF , TIG111GMH , TIG052TS , TIG056BF , TIG058E8 , TIG062E8 , TIG064E8 .
History: SIGC03T60SE | KGF75N65KDF | FGW30N120H
History: SIGC03T60SE | KGF75N65KDF | FGW30N120H



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360