TIG110GMH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: TIG110GMH  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF

Тип корпуса: TO3PMLH

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для TIG110GMH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TIG110GMH даташит

 ..1. Size:479K  sanyo
 tig110gmh.pdf pdf_icon

TIG110GMH

TIG110GMH Ordering number EN9018 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Non Punch Through IGBT TIG110GMH High Power High Speed Switching Applications Features Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment type Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C, Unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Emitte

 8.1. Size:463K  sanyo
 tig110bf.pdf pdf_icon

TIG110GMH

TIG110BF Ordering number EN9013A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Non Punch Through IGBT TIG110BF High Power High Speed Switching Applications Features Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment type Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C, Unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Emitter

 9.1. Size:461K  sanyo
 tig111bf.pdf pdf_icon

TIG110GMH

TIG111BF Ordering number EN9017A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Non Punch Through IGBT TIG111BF High Power High Speed Switching Applications Features Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment type Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C, Unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Emitter

 9.2. Size:474K  sanyo
 tig111gmh.pdf pdf_icon

TIG110GMH

TIG111GMH Ordering number EN9014 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Non Punch Through IGBT TIG111GMH High Power High Speed Switching Applications Features Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment type Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C, Unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Emitte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60D3DPE, RJP60D0DPK, RJH60D5DPK, RJH60D6DPK, RJH60D7DPK, RJH60D0DPK, RJP60D0DPM, TIG110BF, KGF75N65KDF, TIG111BF, TIG111GMH, TIG052TS, TIG056BF, TIG058E8, TIG062E8, TIG064E8, TIG065E8