Справочник IGBT. TIG110GMH

 

TIG110GMH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TIG110GMH
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
   Тип корпуса: TO3PMLH
 

 Аналог (замена) для TIG110GMH

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TIG110GMH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  sanyo
tig110gmh.pdfpdf_icon

TIG110GMH

TIG110GMHOrdering number : EN9018SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Non Punch Through IGBTTIG110GMHHigh Power High Speed Switching ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specifiedParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Emitte

 8.1. Size:463K  sanyo
tig110bf.pdfpdf_icon

TIG110GMH

TIG110BFOrdering number : EN9013ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Non Punch Through IGBTTIG110BFHigh Power High Speed Switching ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specifiedParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Emitter

 9.1. Size:461K  sanyo
tig111bf.pdfpdf_icon

TIG110GMH

TIG111BFOrdering number : EN9017ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Non Punch Through IGBTTIG111BFHigh Power High Speed Switching ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specifiedParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Emitter

 9.2. Size:474K  sanyo
tig111gmh.pdfpdf_icon

TIG110GMH

TIG111GMHOrdering number : EN9014SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Non Punch Through IGBTTIG111GMHHigh Power High Speed Switching ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specifiedParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Emitte

Другие IGBT... RJH60D3DPE , RJP60D0DPK , RJH60D5DPK , RJH60D6DPK , RJH60D7DPK , RJH60D0DPK , RJP60D0DPM , TIG110BF , BT15T120ANF , TIG111BF , TIG111GMH , TIG052TS , TIG056BF , TIG058E8 , TIG062E8 , TIG064E8 , TIG065E8 .

History: IGC11T120T6L | APTGT30SK170D1 | IXYQ40N65C3D1 | AIKW50N60CT | MG150Q2YS65H | FF1400R12IP4 | IXSH15N120AU1

 

 
Back to Top

 


 
.