TIG056BF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование: TIG056BF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 33 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240(pulse) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
Тип корпуса: TO220F
TIG056BF Datasheet (PDF)
tig056bf.pdf
TIG056BF Ordering number ENA1775A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel IGBT TIG056BF High Power High Speed Switching Applications Features Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment type Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Emitter Voltage VCES 400 V Gate-to-Emitter Volta
tig056bf-1e tig056bf.pdf
Ordering number ENA1775B TIG056BF N-Channel IGBT http //onsemi.com 430V, 240A, VCE(sat); 3.6V TO-220F-3FS Features Low-saturation voltage Protection diode in Ultrahigh speed switching Enhansment type Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector to Emitter Voltage VCES 430 V Gate to Emitter Voltage VGES
tig052ts.pdf
Ordering number ENA1258 TIG052TS SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel IGBT TIG052TS Light-Controlling Flash Applications Features Low-saturation voltage. Low voltag drive (2.5V). Enhansment type. Built-in Gate-to-Emitter protection diode. Mounting Height 1.1mm, Mounting Area 19.2mm2. dv / dt guarantee.* Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=2
tig052gs.pdf
Ordering number ENA1258 TIG052TS SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel IGBT TIG052TS Light-Controlling Flash Applications Features Low-saturation voltage. Low voltag drive (2.5V). Enhansment type. Built-in Gate-to-Emitter protection diode. Mounting Height 1.1mm, Mounting Area 19.2mm2. dv / dt guarantee.* Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=2
Другие IGBT... RJH60D7DPK , RJH60D0DPK , RJP60D0DPM , TIG110BF , TIG110GMH , TIG111BF , TIG111GMH , TIG052TS , MBQ60T65PES , TIG058E8 , TIG062E8 , TIG064E8 , TIG065E8 , TIG066SS , DGG4015 , FGM622S , FGM623S .
History: TIG058E8
History: TIG058E8
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964







