Справочник IGBT. TIG056BF

 

TIG056BF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TIG056BF
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 33 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240(pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

TIG056BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  sanyo
tig056bf.pdfpdf_icon

TIG056BF

TIG056BF Ordering number : ENA1775ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel IGBTTIG056BFHigh Power High Speed Switching ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Emitter Voltage VCES 400 VGate-to-Emitter Volta

 ..2. Size:151K  onsemi
tig056bf-1e tig056bf.pdfpdf_icon

TIG056BF

Ordering number : ENA1775BTIG056BFN-Channel IGBThttp://onsemi.com430V, 240A, VCE(sat); 3.6V TO-220F-3FSFeatures Low-saturation voltage Protection diode in Ultrahigh speed switching Enhansment typeSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector to Emitter Voltage VCES 430 VGate to Emitter Voltage VGES

 9.1. Size:61K  1
tig052ts.pdfpdf_icon

TIG056BF

Ordering number : ENA1258 TIG052TSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel IGBTTIG052TSLight-Controlling Flash ApplicationsFeatures Low-saturation voltage. Low voltag drive (2.5V). Enhansment type. Built-in Gate-to-Emitter protection diode. Mounting Height 1.1mm, Mounting Area 19.2mm2. dv / dt guarantee.*SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=2

 9.2. Size:61K  sanyo
tig052gs.pdfpdf_icon

TIG056BF

Ordering number : ENA1258 TIG052TSSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel IGBTTIG052TSLight-Controlling Flash ApplicationsFeatures Low-saturation voltage. Low voltag drive (2.5V). Enhansment type. Built-in Gate-to-Emitter protection diode. Mounting Height 1.1mm, Mounting Area 19.2mm2. dv / dt guarantee.*SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=2

Другие IGBT... RJH60D7DPK , RJH60D0DPK , RJP60D0DPM , TIG110BF , TIG110GMH , TIG111BF , TIG111GMH , TIG052TS , GT30J124 , TIG058E8 , TIG062E8 , TIG064E8 , TIG065E8 , TIG066SS , DGG4015 , FGM622S , FGM623S .

 

 
Back to Top

 


 
.