TIG065E8 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: TIG065E8 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 4 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(pulse) A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.2 V @25℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30 pF
Тип корпуса: ECH8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для TIG065E8
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
TIG065E8 даташит
tig065e8.pdf
TIG065E8 Ordering number ENA1862 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel IGBT TIG065E8 Light-Controlling Flash Applications Features Low-saturation voltage Low voltage drive (2.5V) Enhansment type Built-in Gate-to-Emitter protection diode Mounting Height 0.9mm, Mounting Area 8.12mm2 dv / dt guarantee * Halogen free compliance Specifications
tig062e8.pdf
TIG062E8 Ordering number ENA1480A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel IGBT TIG062E8 Light-Controlling Flash Applications Features Low-saturation voltage. Low voltage drive (3V). Enhansment type. Built-in Gate-to-Emitter protection diode. Mounting Height 0.9mm, Mounting Area 8.12mm2. dv / dt guarantee . * Halogen free compliance. Specification
tig064e8.pdf
TIG064E8 Ordering number ENA1602A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel IGBT TIG064E8 Light-Controlling Flash Applications Features Low-saturation voltage Low voltage drive (2.5V) Enhansment type Built-in Gate-to-Emitter protection diode Mounting Height 0.9mm, Mounting Area 8.12mm2 dv / dt guarantee * Halogen free compliance Specifications
tig066ss.pdf
TIG066SS Ordering number ENA1794 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel IGBT TIG066SS Light-Controlling Flash Applications Features Low-saturation voltage 4.0V drive Enhansment type Built-in Gate-to-Emitter protection diode High speed switching Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-
Другие IGBT... TIG110GMH, TIG111BF, TIG111GMH, TIG052TS, TIG056BF, TIG058E8, TIG062E8, TIG064E8, GT30J127, TIG066SS, DGG4015, FGM622S, FGM623S, MGD623N, MGD623S, FGW50N65WE, SKW030N065
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372




