TIG066SS Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TIG066SS
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(pulse) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 59 pF
Тип корпуса: SOP8
- подбор IGBT транзистора по параметрам
TIG066SS Datasheet (PDF)
tig066ss.pdf

TIG066SS Ordering number : ENA1794SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel IGBTTIG066SSLight-Controlling Flash ApplicationsFeatures Low-saturation voltage 4.0V drive Enhansment type Built-in Gate-to-Emitter protection diode High speed switchingSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-
tig062e8.pdf

TIG062E8Ordering number : ENA1480ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel IGBTTIG062E8Light-Controlling Flash ApplicationsFeatures Low-saturation voltage. Low voltage drive (3V). Enhansment type. Built-in Gate-to-Emitter protection diode. Mounting Height 0.9mm, Mounting Area 8.12mm2. dv / dt guarantee . * Halogen free compliance.Specification
tig064e8.pdf

TIG064E8 Ordering number : ENA1602ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel IGBTTIG064E8Light-Controlling Flash ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Low voltage drive (2.5V) Enhansment type Built-in Gate-to-Emitter protection diode Mounting Height 0.9mm, Mounting Area 8.12mm2 dv / dt guarantee * Halogen free complianceSpecifications
tig065e8.pdf

TIG065E8 Ordering number : ENA1862SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel IGBTTIG065E8Light-Controlling Flash ApplicationsFeatures Low-saturation voltage Low voltage drive (2.5V) Enhansment type Built-in Gate-to-Emitter protection diode Mounting Height 0.9mm, Mounting Area 8.12mm2 dv / dt guarantee * Halogen free complianceSpecifications
Другие IGBT... TIG111BF , TIG111GMH , TIG052TS , TIG056BF , TIG058E8 , TIG062E8 , TIG064E8 , TIG065E8 , RJP30H2A , DGG4015 , FGM622S , FGM623S , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , SKW030N065 , GM200HB12CT .
History: SME6G30US60 | HM15N120A | IXGH32N60BU1 | IRGP4069 | OST20N135HRF | OST30N65HMF | IRGS4056D
History: SME6G30US60 | HM15N120A | IXGH32N60BU1 | IRGP4069 | OST20N135HRF | OST30N65HMF | IRGS4056D



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet