SKW030N065 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SKW030N065
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 64.5 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SKW030N065

 

 

SKW030N065 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... TIG065E8 , TIG066SS , DGG4015 , FGM622S , FGM623S , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , IXGH60N60 , GM200HB12CT , GM400HB06CT , KGH15N120NDA , KGH25N120NDA , KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH .