SKW030N065 - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги SKW030N065. Основные параметры


   Наименование: SKW030N065
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SKW030N065

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKW030N065 даташит

 ..1. Size:14504K  cn scilicon
 skw030n065.pdf pdf_icon

SKW030N065

SKW030N065 IGBT 650V, 30A,Vcesat 1.75V FEATURES Product Summary Low gate charge VDS 650V Trench FS Trench FS Technology Vcesattyp. 1.75V RoHS RoHS product ID 30A APPLICATIONS 100% DVDS Tested General purpose inverters 100% Avalanche Tested UPS UPS SKT030N065 Package Markin

Другие IGBT... TIG065E8 , TIG066SS , DGG4015 , FGM622S , FGM623S , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , CRG40T60AN3H , GM200HB12CT , GM400HB06CT , KGH15N120NDA , KGH25N120NDA , KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH .

History: FGW50N65WE

 

 

 


 
↑ Back to Top
.