SKW030N065 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SKW030N065  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SKW030N065

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKW030N065 даташит

 ..1. Size:14504K  cn scilicon
 skw030n065.pdf pdf_icon

SKW030N065

SKW030N065 IGBT 650V, 30A,Vcesat 1.75V FEATURES Product Summary Low gate charge VDS 650V Trench FS Trench FS Technology Vcesattyp. 1.75V RoHS RoHS product ID 30A APPLICATIONS 100% DVDS Tested General purpose inverters 100% Avalanche Tested UPS UPS SKT030N065 Package Markin

Другие IGBT... TIG065E8, TIG066SS, DGG4015, FGM622S, FGM623S, MGD623N, MGD623S, FGW50N65WE, SGT50T65FD1PT, GM200HB12CT, GM400HB06CT, KGH15N120NDA, KGH25N120NDA, KGT12N120NDH, KGT15N120KDA, KGT15N120NDA, KGT15N120NDH