Справочник IGBT. KGH15N120NDA

 

KGH15N120NDA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KGH15N120NDA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для KGH15N120NDA

 

 

KGH15N120NDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1426K  kec
 kgh15n120nda.pdf

KGH15N120NDA KGH15N120NDA

SEMICONDUCTORKGH15N120NDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT IGBTs offer lowest losses and highest energy efficiency forapplication such as IH (induction heating), UPS, General inverter and othersoft switching applications. FEATURES High speed switchingHigher system efficiencySoft current turn-off waveformsSquare RBSOA using NPT technologyMAXIMUM RATING (Ta=

Другие IGBT... FGM622S , FGM623S , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , SKW030N065 , GM200HB12CT , GM400HB06CT , BT40T60ANF , KGH25N120NDA , KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH , KGT15N60FDA , KGT20N60KDA , KGT25N120KDA .

 

 
Back to Top