Справочник IGBT. KGT25N120NDH

 

KGT25N120NDH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KGT25N120NDH
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 150 nC
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для KGT25N120NDH

 

 

KGT25N120NDH Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH , KGT15N60FDA , KGT20N60KDA , KGT25N120KDA , KGT25N120NDA , IRGP4063D , KGT25N135NDH , KGT30N120NDA , KGT30N120NDH , KGT30N60KDA , KGT40N60KDA , KGT50N60KDA , RJH30E2DPP , IRG4PC60UPBF .