KGT30N60KDA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: KGT30N60KDA
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 170 nC
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
KGT30N60KDA Datasheet (PDF)
kgt30n60kda.pdf

SEMICONDUCTORKGT30N60KDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency BAOS Kand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.DIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30_B5.00 + 0.20FEATURES _C20.85 + 0.30_D3.00 + 0.20
kgt30n135ndh.pdf

SEMICONDUCTORKGT30N135NDHTECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand high avalanche ruggedness for soft switching application such asIH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorSoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avalanche c
kgt30n135kdh.pdf

SEMICONDUCTORKGT30N135KDHTECHNICAL DATAGeneral DescriptionBKEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency AOS Kand high avalanche ruggedness for soft switching application such asIH(induction heating), microwave oven, etc.DIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30FEATURES _B5.00 + 0.20High speed switching _C20.85 + 0.30_D3.00 + 0.20High r
kgt30n120ndh.pdf

SEMICONDUCTORKGT30N120NDHTECHNICAL DATAGeneral DescriptionAKEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyQ BNO Kand high avalanche ruggedness for soft switching application such asDIM MILLIMETERSIH(induction heating), microwave oven, etc._A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20_C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20FEATURES +_d +1.00 0.20High speed
Другие IGBT... KGT15N60FDA , KGT20N60KDA , KGT25N120KDA , KGT25N120NDA , KGT25N120NDH , KGT25N135NDH , KGT30N120NDA , KGT30N120NDH , GT45F122 , KGT40N60KDA , KGT50N60KDA , RJH30E2DPP , IRG4PC60UPBF , APT100GF60B2R , APT100GF60JR , APT100GF60JRD , APT100GF60JU2 .
History: TSG40N120CE | IKD15N60R | FGM622S
History: TSG40N120CE | IKD15N60R | FGM622S



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706