Справочник IGBT. GT5G133

 

GT5G133 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GT5G133

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 4

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 130(pulse)

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Корпус: TSON8

Аналог (замена) для GT5G133

 

 

GT5G133 Datasheet (PDF)

1.1. gt5g133 100115.pdf Size:224K _toshiba

GT5G133
GT5G133

GT5G133 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT5G133 Strobe Flash Applications Unit: mm Unit: mm • Enhancement-mode • Low gate drive voltage: VGE = 2.5 V (min) (@IC = 130 A) • Peak collector current: IC = 130 A (max) • Compact and Thin (TSON-8) package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-emi

Другие IGBT... GT45F127 , GT45F128 , GT30F131 , GT30G124 , GT30G125 , GT45G127 , GT45G128 , GT30J124 , CT60AM-20 , GT5J301 , GT8G151 , GT10G131 , GT10J303 , GT10J321 , GT15J301 , GT15J321 , GT20J321 .

Back to Top

 


GT5G133
  GT5G133
  GT5G133
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top