GT20J321
- IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: GT20J321
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ -
Максимальная рассеиваемая мощность: 45
W
|Vce|ⓘ -
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600
V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20
V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора:
20
A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое:
2
V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода:
150
℃
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 500
nC
Тип корпуса: 2-10R1C
Аналог (замена) для GT20J321
GT20J321
Datasheet (PDF)
..1. Size:216K toshiba
gt20j321.pdf 
GT20J321 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT20J321 High Power Switching Applications Unit: mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed: tf = 0.04 s (typ.) Low switching loss : Eon = 0.40 mJ (typ.) : Eoff = 0.43 mJ (typ.
8.1. Size:455K toshiba
gt20j311.pdf 
GT20J311 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT20J311 Unit: mmHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30s (Max.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) FRD included between emitter and collector MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SY
8.2. Size:491K toshiba
gt20j301.pdf 
GT20J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT20J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mmMOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30s (Max.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHA
Другие IGBT... GT5G133
, GT5J301
, GT8G151
, GT10G131
, GT10J303
, GT10J321
, GT15J301
, GT15J321
, XNF15N60T
, GT30J121
, GT30J122
, GT30J126
, GT30J324
, GT35J321
, GT40J121
, GT40J321
, GT40J322
.
