TSG25N120CN - аналоги и описание IGBT

 

TSG25N120CN - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TSG25N120CN

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF

Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для TSG25N120CN

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TSG25N120CN даташит

 ..1. Size:392K  taiwansemi
 tsg25n120cn.pdf pdf_icon

TSG25N120CN

TSG25N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3PN Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 25 General Description The TSG25N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 5.1. Size:412K  taiwansemi
 tsg25n120.pdf pdf_icon

TSG25N120CN

TSG25N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3PN Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 25 General Description The TSG25N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

Другие IGBT... GT40J325 , GT50J121 , GT50J325 , GT50J328 , GT50J341 , GT60J323 , GT60J323H , TSG15N120CN , IRGP4062D , TSG40N120CE , TSG60N100CE , APT15GP90B , APT15GP90BDF1 , APT15GP90K , APT15GT60BR , APT15GT60BRD , APT15GT60KR .

History: APT40GP60B2DQ2G | IRGS4620D | TSG40N120CE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.