TSG40N120CE - аналоги и описание IGBT

 

TSG40N120CE - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TSG40N120CE

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 64 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для TSG40N120CE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TSG40N120CE даташит

 ..1. Size:652K  taiwansemi
 tsg40n120ce.pdf pdf_icon

TSG40N120CE

TSG40N120CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 40 General Description The TSG40N120CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 5.1. Size:656K  taiwansemi
 tsg40n120.pdf pdf_icon

TSG40N120CE

TSG40N120CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 40 General Description The TSG40N120CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

Другие IGBT... GT50J121 , GT50J325 , GT50J328 , GT50J341 , GT60J323 , GT60J323H , TSG15N120CN , TSG25N120CN , GT30F132 , TSG60N100CE , APT15GP90B , APT15GP90BDF1 , APT15GP90K , APT15GT60BR , APT15GT60BRD , APT15GT60KR , APT200GN60J .

History: IRGS4620D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.