Справочник IGBT. TSG40N120CE

 

TSG40N120CE Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TSG40N120CE
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 64 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO264
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

TSG40N120CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  taiwansemi
 tsg40n120ce.pdf pdf_icon

TSG40N120CE

TSG40N120CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 40 General Description The TSG40N120CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 5.1. Size:656K  taiwansemi
 tsg40n120.pdf pdf_icon

TSG40N120CE

TSG40N120CE N-Channel IGBT with FRD. TO-264 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 40 General Description The TSG40N120CE using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

Другие IGBT... GT50J121 , GT50J325 , GT50J328 , GT50J341 , GT60J323 , GT60J323H , TSG15N120CN , TSG25N120CN , IHW15N120R3 , TSG60N100CE , APT15GP90B , APT15GP90BDF1 , APT15GP90K , APT15GT60BR , APT15GT60BRD , APT15GT60KR , APT200GN60J .

History: NGTB20N120IHR | APT15GP90K | SGL50N60RUFD | MMG75S120B6TN | MMG75W120XB6TN | IRGB4086 | IXBF12N300

 

 
Back to Top

 


 
.