APT75GP120JDF3 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: APT75GP120JDF3 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 128 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 460 pF
Тип корпуса: SOT227
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для APT75GP120JDF3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
APT75GP120JDF3 даташит
apt75gp120jdq3.pdf
TYPICAL PERFORMANCE CURVES APT75GP120JDQ3 1200V APT75GP120JDQ3 POWER MOS 7 IGBT The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies. "UL Recognized" ISOTOP file # E145592
apt75gp120j.pdf
APT75GP120J 1200V POWER MOS 7 IGBT The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, "UL Recognized" high voltage switching applications and has been optimized for high frequency ISOTOP switchmode power supplies. C Low Conduction Loss RBSOA rated Low Gate Charge G
apt75gp120b2.pdf
APT75GP120B2 1200V POWER MOS 7 IGBT T-MaxTM The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies. G C E C Low Conduction Loss 100 kHz operation @ 800V, 20A Low Gate Char
Другие IGBT... APT60GT60JRD, APT60GU30B, APT65GP60B2, APT65GP60J, APT65GP60JDF2, APT65GP60L2DF2, APT75GP120B2, APT75GP120J, IXRH40N120, APT75GT120JU2, APT75GT120JU3, APT80GP60B2, APT80GP60J, APT80GP60JDF3, APT83GU30B, APT8GT60KR, APTGF100A120T
History: MMG200HB060B6EN | AOB10B60D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d





