HGTP12N60C3R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HGTP12N60C3R  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HGTP12N60C3R

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTP12N60C3R даташит

 ..1. Size:262K  1
 hgtp12n60c3r hgt1s12n60c3r hgt1s12n60c3rs.pdf pdf_icon

HGTP12N60C3R

 3.1. Size:206K  1
 hgtp12n60c3d hgt1s12n60c3d hgt1s12n60c3ds.pdf pdf_icon

HGTP12N60C3R

 3.2. Size:181K  1
 hgtp12n60c3 hgt1s12n60c3 hgt1s12n60c3s.pdf pdf_icon

HGTP12N60C3R

 3.3. Size:734K  1
 hgtg12n60c3dr hgtp12n60c3dr hgt1s12n60c3dr hgt1s12n60c3drs.pdf pdf_icon

HGTP12N60C3R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGT1S12N60B3D, HGT1S12N60B3DS, HGT1S12N60B3S, HGT1S12N60C3, HGT1S12N60C3D, HGT1S12N60C3DR, HGT1S12N60C3DRS, HGT1S12N60C3DS, STGW60V60DF, HGT1S12N60C3R, HGT1S12N60C3RS, HGT1S12N60C3S, HGT1S12N60C3S9A, HGT1S1N120BNDS9A, HGT1S14N36G3VL, HGT1S14N36G3VLS, HGT1S14N36G3VLS9A