FGW30N120HD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGW30N120HD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: 30G120HD
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 53 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 230 nC
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FGW30N120HD Datasheet (PDF)
fgw30n120hd.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW30N120HD Discrete IGBTDiscrete IGBT (High-Speed V series)1200V / 30AFeaturesLow power lossLow switching surge and noiseHigh reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)ApplicationsUninterruptible power supplyPower coditionnerPower factor correction circuitMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Ab
fgw30n120h.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW30N120H Discrete IGBTDiscrete IGBT (High-Speed V series)1200V / 30AFeaturesLow power lossLow switching surge and noiseHigh reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)ApplicationsUninterruptible power supplyPower coditionnerPower factor correction circuitMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Abs
fgw30n60vd.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW30N60VD Discrete IGBTDiscrete IGBT (High-Speed V series)600V / 30AFeaturesLow power lossLow switching surge and noiseHigh reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)ApplicationsInverter for Motor driveAC and DC Servo drive amplifierUninterruptible power supplyMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit
Другие IGBT... FGW40N120HD , FGW40N120VD , FGW40N120W , FGW40N120WD , FGW25N120VD , FGW25N120W , FGW25N120WD , FGW30N120H , BT15T120ANF , FGW30N60VD , FGW35N60H , FGW35N60HC , FGW35N60HD , FGW50N60H , FGW50N60HC , FGW50N60HD , FGW50N60VD .
History: VS-EMG050J60N | TSG60N100CE
History: VS-EMG050J60N | TSG60N100CE



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n