FGW30N60VD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGW30N60VD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: 30G60VD
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.2 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 145 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 225 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FGW30N60VD
FGW30N60VD Datasheet (PDF)
fgw30n60vd.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW30N60VD Discrete IGBTDiscrete IGBT (High-Speed V series)600V / 30AFeaturesLow power lossLow switching surge and noiseHigh reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)ApplicationsInverter for Motor driveAC and DC Servo drive amplifierUninterruptible power supplyMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit
fgw30n120hd.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW30N120HD Discrete IGBTDiscrete IGBT (High-Speed V series)1200V / 30AFeaturesLow power lossLow switching surge and noiseHigh reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)ApplicationsUninterruptible power supplyPower coditionnerPower factor correction circuitMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Ab
fgw30n120h.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW30N120H Discrete IGBTDiscrete IGBT (High-Speed V series)1200V / 30AFeaturesLow power lossLow switching surge and noiseHigh reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)ApplicationsUninterruptible power supplyPower coditionnerPower factor correction circuitMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Abs
Другие IGBT... FGW40N120VD , FGW40N120W , FGW40N120WD , FGW25N120VD , FGW25N120W , FGW25N120WD , FGW30N120H , FGW30N120HD , RGT50TS65D , FGW35N60H , FGW35N60HC , FGW35N60HD , FGW50N60H , FGW50N60HC , FGW50N60HD , FGW50N60VD , FGW75N60H .
History: MIXA20W1200MC | SKM150GB12T4 | FGY75T95LQDT | VS-GT50TP120N | IXGT32N90B2 | SKM800GA126D | APT40GP60SG
History: MIXA20W1200MC | SKM150GB12T4 | FGY75T95LQDT | VS-GT50TP120N | IXGT32N90B2 | SKM800GA126D | APT40GP60SG



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904