BT25T120ANF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: BT25T120ANF 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 82 pF
Тип корпуса: TO3P
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для BT25T120ANF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
BT25T120ANF даташит
bt25t120anf.pdf
Silicon FS Planar IGBT R BT25T120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 312 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.9 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coef
bt25t120anf.pdf
Silicon FS Planar IGBT R BT25T120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 312 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.9 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coef
bt25t120ckr.pdf
Silicon FS Trench IGBT R BT25T120 CKR General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 25 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1200V Trench FS Ptot (TC=25 ) 208 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness. Features Trench FS T
Другие IGBT... FGW85N60RB, 1MBH60-100, FGL40N120AN, BRG15N120D, BRG20N120D, BRG25N120D, SSIG15N135H, SSIG20N135H, MBQ60T65PES, BT15T120ANF, BT15N120ANF, BT40N60BNF, BT30N60ANF, BT50N60ANF, BT15N60A9F, AP25G45EM, AP25G45GEM
History: NGTB40N60FL2WG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n



