BT15N120ANF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BT15N120ANF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 186 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38.4 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 67 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BT15N120ANF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BT15N120ANF даташит

 ..1. Size:254K  crhj
 bt15n120anf.pdf pdf_icon

BT15N120ANF

Silicon FS Planar IGBT R BT15N120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 2.2 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coef

 ..2. Size:253K  wuxi china
 bt15n120anf.pdf pdf_icon

BT15N120ANF

Silicon FS Planar IGBT R BT15N120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 2.2 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coef

 8.1. Size:155K  1
 ixbh15n170 ixbt15n170.pdf pdf_icon

BT15N120ANF

Advanced Technical Information VCES = 1700 V High Voltage, High Gain IXBH 15N170 BIMOSFETTM Monolithic IC25 = 25 A IXBT 15N170 Bipolar MOS Transistor VCE(sat) = 3.3 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C25 A TO-24

 9.1. Size:102K  crhj
 bt15n60a9f.pdf pdf_icon

BT15N120ANF

Silicon FS Planar IGBT R BT15N60A9F General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 15 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 25 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.1 V Features FS Planar Technology, Positive temperature coeff

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FGL40N120AN, BRG15N120D, BRG20N120D, BRG25N120D, SSIG15N135H, SSIG20N135H, BT25T120ANF, BT15T120ANF, FGH60N60SMD, BT40N60BNF, BT30N60ANF, BT50N60ANF, BT15N60A9F, AP25G45EM, AP25G45GEM, AP28G45GEM, AP20G45EH