BT15N120ANF
- IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BT15N120ANF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ -
Максимальная рассеиваемая мощность: 186
W
|Vce|ⓘ -
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200
V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20
V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора:
30
A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое:
2.2
V @25℃
|VGEth|ⓘ -
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5
V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода:
150
℃
trⓘ -
Время нарастания типовое: 38.4
nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 67
pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 127
nC
Тип корпуса:
TO3P
Аналог (замена) для BT15N120ANF
BT15N120ANF
Datasheet (PDF)
..1. Size:254K crhj
bt15n120anf.pdf 
Silicon FS Planar IGBT R BT15N120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 2.2 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coef
..2. Size:253K wuxi china
bt15n120anf.pdf 
Silicon FS Planar IGBT R BT15N120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 2.2 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coef
8.1. Size:155K 1
ixbh15n170 ixbt15n170.pdf 
Advanced Technical InformationVCES = 1700 VHigh Voltage, High GainIXBH 15N170BIMOSFETTM Monolithic IC25 = 25 AIXBT 15N170Bipolar MOS TransistorVCE(sat) = 3.3 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VE(TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C25 ATO-24
9.1. Size:102K crhj
bt15n60a9f.pdf 
Silicon FS Planar IGBT R BT15N60A9F General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 15 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 25 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.1 V Features FS Planar Technology, Positive temperature coeff
9.2. Size:102K wuxi china
bt15n60a9f.pdf 
Silicon FS Planar IGBT R BT15N60A9F General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 15 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 25 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.1 V Features FS Planar Technology, Positive temperature coeff
Другие IGBT... FGL40N120AN
, BRG15N120D
, BRG20N120D
, BRG25N120D
, SSIG15N135H
, SSIG20N135H
, BT25T120ANF
, BT15T120ANF
, GT50JR22
, BT40N60BNF
, BT30N60ANF
, BT50N60ANF
, BT15N60A9F
, AP25G45EM
, AP25G45GEM
, AP28G45GEM
, AP20G45EH
.
