Справочник IGBT. AP20G45EJ

 

AP20G45EJ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP20G45EJ
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 72 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 145 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 51 nC
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для AP20G45EJ

 

 

AP20G45EJ Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , BT40T60ANF , TGPF30N40P , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF , CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K .