STGP19NC60K datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: STGP19NC60K 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 127 pF
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для STGP19NC60K
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGP19NC60K даташит
stgp19nc60k.pdf
STGB19NC60K STGP19NC60K 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) Short circuit withstand time 10 s 3 3 IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling 1 2 1 diode D2PAK TO-220 Applications High frequency inverters Motor drivers Description Figure 1.
stgb19nc60k stgp19nc60k.pdf
STGB19NC60K STGP19NC60K 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) Short circuit withstand time 10 s 3 3 IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling 1 2 1 diode D2PAK TO-220 Applications High frequency inverters Motor drivers Description Figure 1.
stgb19nc60kdt4 stgf19nc60kd stgp19nc60kd.pdf
STGB19NC60KDT4, STGF19NC60KD, STGP19NC60KD 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Datasheet - production data Features TAB Low on voltage drop (V ) CE(sat) Low C / C ratio (no cross-conduction RES IES 3 1 susceptibility) D2 PAK 3 Short-circuit withstand time 10 s 2 1 IGBT co-packaged with ultrafast free- TO-220FP TAB wheeling diode Applications
stgb19nc60kd stgf19nc60kd stgp19nc60kd.pdf
STGB19NC60KD STGF19NC60KD - STGP19NC60KD 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) 3 3 Short circuit withstand time 10 s 1 2 1 IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling D2PAK TO-220 diode Applications 3 2 1 High frequency inverters TO-220FP Mot
Другие IGBT... CPV364M4UPBF, CPV364M4FPBF, CPV364M4KPBF, IRGSL4B60K, NGTB15N60S1, NGTG15N60S1, NGTB15N60EG, IXYY8N90C3, YGW60N65F1A1, AP05G120SW-HF, TSG10N120CN, AP05G120NSW-HF, AP20GT60SW, AP20GT60W, CI15T60, MMIX4B12N300, NGD8205A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219





