AP20GT60SW - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AP20GT60SW
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 20
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 75
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 100
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для AP20GT60SW
AP20GT60SW Datasheet (PDF)
ap20gt60sw.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP20GT60SWRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 20A Low Saturation VoltageVCE(sat),Typ.=1.8V@IC=20A CG Built-in Fast Recovery DiodeC TO-3PGEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter V
ap20gt60p-hf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP20GT60P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 20AG Low Saturation VoltageTO-220(P)CEVCE(sat),typ.=1.8V@IC=20AC RoHS Compliant & Halogen-FreeGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCESCollector-Emitter Voltage 600 VVGEGate-Emi
ap20gt60asp-hf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP20GT60ASP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 19AG Low Saturation VoltageTO-220(P)CEVCE(sat),typ.=1.7V@IC=19A C RoHS Compliant ProductGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Vol
ap20gt60i.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP20GT60IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 20AG Low Saturation Voltage CETO-220CFM(I)VCE(sat),typ.=1.8V@IC=20AC RoHS Compliant ProductGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Vol
ap20gt60w.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP20GT60WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 20A Low Saturation VoltageVCE(sat),typ.=1.8V@IC=20ACG RoHS Compliant ProductGCTO-3PEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Voltag
ap20gt60asi-hf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP20GT60ASI-HFRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 12AG Low Saturation Voltage CETO-220CFM(I)VCE(sat),typ.=1.7V@IC=12A C RoHS Compliant ProductGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter
Другие IGBT... NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , FGH60N60SFD , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG .
![AP20GT60SW](https://alltransistors.com/images/us.png)
![AP20GT60SW](https://alltransistors.com/images/es.png)
![AP20GT60SW](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ