Справочник IGBT. AP20GT60SW

 

AP20GT60SW - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP20GT60SW
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для AP20GT60SW

 

 

AP20GT60SW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  ape
 ap20gt60sw.pdf

AP20GT60SW AP20GT60SW

AP20GT60SWRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 20A Low Saturation VoltageVCE(sat),Typ.=1.8V@IC=20A CG Built-in Fast Recovery DiodeC TO-3PGEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter V

 6.1. Size:59K  ape
 ap20gt60p-hf.pdf

AP20GT60SW AP20GT60SW

AP20GT60P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 20AG Low Saturation VoltageTO-220(P)CEVCE(sat),typ.=1.8V@IC=20AC RoHS Compliant & Halogen-FreeGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCESCollector-Emitter Voltage 600 VVGEGate-Emi

 6.2. Size:95K  ape
 ap20gt60asp-hf.pdf

AP20GT60SW AP20GT60SW

AP20GT60ASP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 19AG Low Saturation VoltageTO-220(P)CEVCE(sat),typ.=1.7V@IC=19A C RoHS Compliant ProductGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Vol

 6.3. Size:93K  ape
 ap20gt60i.pdf

AP20GT60SW AP20GT60SW

AP20GT60IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 20AG Low Saturation Voltage CETO-220CFM(I)VCE(sat),typ.=1.8V@IC=20AC RoHS Compliant ProductGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Vol

 6.4. Size:92K  ape
 ap20gt60w.pdf

AP20GT60SW AP20GT60SW

AP20GT60WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 20A Low Saturation VoltageVCE(sat),typ.=1.8V@IC=20ACG RoHS Compliant ProductGCTO-3PEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Voltag

 6.5. Size:95K  ape
 ap20gt60asi-hf.pdf

AP20GT60SW AP20GT60SW

AP20GT60ASI-HFRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 12AG Low Saturation Voltage CETO-220CFM(I)VCE(sat),typ.=1.7V@IC=12A C RoHS Compliant ProductGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter

Другие IGBT... NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , YGW40N65F1 , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG .

 

 
Back to Top