MMIX4B20N300 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MMIX4B20N300
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 34
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 210
Емкость коллектора (Cc), pf: 92
Тип корпуса: SMPD
Аналог (замена) для MMIX4B20N300
MMIX4B20N300 Datasheet (PDF)
..1. mmix4b20n300.pdf Size:247K _ixys
Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VMMIX4B20N300BIMOSFETTM MonolithicIC110 = 14ABipolar MOS TransistorC2C1 VCE(sat) 3.2V G1G2E2C4 E1C3(Electrically Isolated Tab)G3 G4C2E3E4G2E2C4G4E3E4C1Symbol Test Conditions Maximum RatingsG1VCES TC = 25C to 150C 3000 VE1C3VCGR TJ = 25C to 150C
7.1. mmix4b22n300.pdf Size:245K _ixys
Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VMMIX4B22N300BIMOSFETTM MonolithicIC90 = 22ABipolar MOS TransistorC2C1VCE(sat) 2.7VG1G2E2C4 E1C3(Electrically Isolated Tab)G3 G4C2E3E4G2E2C4Symbol Test Conditions Maximum RatingsG4E3E4C1VCES TJ = 25C to 150C 3000
8.1. mmix4b12n300.pdf Size:252K _ixys
Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainMMIX4B12N300 VCES = 3000VBIMOSFETTM MonolithicIC110 = 11ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2VC2C1G1G2(Electrically Isolated Tab)E2C4 E1C3G3 G4C2G2E3E4E2C4G4E3E4C1G1E1C3Symbol Test Conditions Maximum RatingsG3VCES TC = 25C to 150C 3000 V Isolated TabE3E4VCG
9.1. mmix4g20n250.pdf Size:244K _ixys
Advance Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 2500VMMIX4G20N250For Capacitor DischargeIC25 = 23AApplicationsVCE(sat) 3.1VC1 C2Q1 Q2( Electrically Isolated Tab)G2G1E2C4E1C3Q3 Q4 C2H-Bridge ConfigurationG2G4E2C4G3E3E4G4E3E4C1G1E1C3Symbol Test Conditions Maximum RatingsG3VCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCGR T
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 40N60C3R , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: DGW75N65CTL1 | DGW60N65BTH | DGW50N65CTL1 | DGW50N65CTH | DGW50N65BTH | DGW40N65CTL | DGW40N65CTH | DGW40N65BTH | DGW40N120CTL | DGW40N120CTH0 | DGW40N120CTH