MMIX4B20N300 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MMIX4B20N300

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3000

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 34

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 210

Емкость коллектора (Cc), pf: 92

Корпус: SMPD

Аналог (замена) для MMIX4B20N300

MMIX4B20N300 Datasheet (PDF)

1.1. mmix4b20n300.pdf Size:247K _igbt

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V MMIX4B20N300 BIMOSFETTM Monolithic IC110 = 14A Bipolar MOS Transistor C2 C1 ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 3.2V ≤ ≤ G1 G2 E2C4 E1C3 (Electrically Isolated Tab) G3 G4 C2 E3E4 G2 E2C4 G4 E3E4 C1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G1 VCES TC = 25°C to 150°C 3000 V E1C3 VCGR TJ = 25°C to 150°C

3.1. mmix4b22n300.pdf Size:245K _igbt

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V MMIX4B22N300 BIMOSFETTM Monolithic IC90 = 22A Bipolar MOS Transistor C2 C1  VCE(sat)   2.7V   G1 G2 E2C4 E1C3 (Electrically Isolated Tab) G3 G4 C2 E3E4 G2 E2C4 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G4 E3E4 C1 VCES TJ = 25°C to 150°C 3000

 4.1. mmix4b12n300.pdf Size:252K _igbt

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain MMIX4B12N300 VCES = 3000V BIMOSFETTM Monolithic IC110 = 11A Bipolar MOS Transistor ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 3.2V ≤ ≤ C2 C1 G1 G2 (Electrically Isolated Tab) E2C4 E1C3 G3 G4 C2 G2 E3E4 E2C4 G4 E3E4 C1 G1 E1C3 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G3 VCES TC = 25°C to 150°C 3000 V Isolated Tab E3E4 VCG

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .