Справочник IGBT. AOK30B60D1

 

AOK30B60D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: AOK30B60D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 208

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 44

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 153

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для AOK30B60D1

 

 

AOK30B60D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:699K  aosemi
 aok30b60d1.pdf

AOK30B60D1 AOK30B60D1

AOK30B60D1TM600V, 30A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 30Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.85Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance

 5.1. Size:695K  aosemi
 aok30b60d.pdf

AOK30B60D1 AOK30B60D1

AOK30B60DTM600V, 30A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 30Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.6Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance to

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , TGAN20N135FD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top