AOK30B60D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AOK30B60D1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 208
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 44
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 153
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для AOK30B60D1
AOK30B60D1 Datasheet (PDF)
aok30b60d1.pdf

AOK30B60D1TM600V, 30A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 30Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.85Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance
aok30b60d.pdf

AOK30B60DTM600V, 30A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 30Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.6Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance to
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , TGAN20N135FD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: HIA20N140IH-DA | HIA50N65IH-JA | HIA50N65H-SA | HIA50N65T-SA | HIA50N65H-JA | HIA50N65T-JA | HIA30N140CIH-DA | HIA40N120T-SA | HIW30N65T-SA | HIA30N65T-SA | HIA75N65H-SA